| 【SEMICON】薄いSiウエーハ向けのレーザー・ダイシング装置，XSiL社が発売 |
| アイルランドXSiL社は，薄いSiウエーハに特化したレーザー・ダイシング装置を「SEMICON West 2007」（7月16日～20日に米国サンフランシスコで開催）に合わせて発売する。 |
| 前工程で処理される300ｍｍ径のSiウエーハの厚さは775μmである。一方，後工程で処理されるウエーハの厚さは，高密度実装に向けてここに来て 100μm以下といった水準に薄くなっている。今回XSiL社が発売したレーザー・ダイシング装置「X300D+」は，これまで別々に処理していた以下の 四つのプロセスを装置内部で連続して行い，生産の安定化とコスト低減を狙った点に特徴がある。 |
| （1）粒子（デブリ）付着防止のためのコーティング：非イオン系の水溶性コーティング剤をウエーハに塗布し，ダイシング時に発生するデブリがデバ イスに付着するのを防ぐ。 （2）ダメージの小さいダイシング：高出力の紫外線パルス・レーザー（波長355nm）を使ってウエーハとDAF（ダイ接着 フィルム）を高速にダイシングし，チップの欠け（チッピング）やダメージを抑える。 （3）洗浄：コーティングおよびダイシングしたウエーハを装置下部 の洗浄ステーションで純水洗浄する。この際，最初のプロセスで塗布したコーティング剤や付着したデブリを除去する。 （4）プラズマ・レスのドライ・ エッチング：薄いSiウエーハ向けに新たに開発したXeF2ドライ・エッチング技術「MaxFlex」を使い，個片化したダイの切断側壁をエッチングする。ダイへのストレスを減らすことで，強度を高める。 |
20μm厚DAF付きの75μm厚Ｓｉウエーハをダ
イシングした後のSEM像。アイルランド
XSiL社のデータ。
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四つのプロセスを装置内部で連続して行う。
XSiL社のデータ。 |
